国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“半导体工艺腔室及半导体工艺设备”的专利，公开号CN120719261A，申请日期为2025年08月。
专利摘要显示，本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体以及位于腔室本体内的基座、沉积环和隔离组件；隔离组件包括遮蔽环和第一衬环，当基座上升时，遮蔽环可搭接于沉积环上，且遮蔽环随基座上升至设定位置并与第一衬环配合，以使基座、沉积环、遮蔽环和第一衬环共同围成工艺空间；腔室本体的侧壁设有进气通道，第一衬环设有匀气孔，进气通道可通过匀气孔与工艺空间连通，外部的气源可通过进气通道、匀气孔向工艺空间内通入工艺气体，即进气通道中的工艺气体可以充分的进入工艺空间后再经腔室本体底部的排气口排走，这就使得通入工艺空间内的工艺气体能够充分离化且不会造成工艺气体的浪费。
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